Abstract FR:

La croissance assistee par laser est un nouveau procede d'elaboration de si polycristallin a basse temperature (350**(o)c). Plusieurs aspects concernant l'etude de cette croissance par ellipsometrie en temps reel sont abordes : description du dispositif experimental, partie theorique analysant l'evolution du systeme laser/semiconducteur et les interactions mises en jeu, caracterisation de la croissance par l'ellipsometre rapide. Proposition d'un modele de croissance tenant compte des effets photoniques et thermiques dus a l'excitation laser. La relaxation du materiau au cours de la croissance est mise en evidence par l'ellipsometrie spectroscopique