Abstract FR:

La reduction des dimensions et l'integration d'un grand nombre de dispositifs sur un meme puce imposent des contraintes technologiques de plus en plus complexes. En particulier le choix du materiau pour la metallisation (contacts et interconnexions) est essentiel. Les siliciures de metaux refractaires, par leur bonne stabilite thermique et leur caractere metallique, constituent d'excellents candidats pour cette technologie a tres grande echelle d'integration. Dans notre travail, nous nous sommes interesses au siliciure de tungstene. Son elaboration ainsi que son application en metallisation auto-alignee pour une technologie submicronique ont ete etudiees. La formation de wsi2 par reaction directe (w/si) a ete etudiee en fonction des parametres de depot par pulverisation des couches de tungstene. Le controle de cette reaction s'impose pour une utilisation dans une structure auto-alignee source-drain-grille. Nous avons etudie trois solutions: 1) mixage de l'interface par implantation du ge, 2) depots reactifs dans un plasma n#2 et 3) recuit sous atmosphere reactive controlee: d'oxygene ou d'ammoniac a basse pression. Une maitrise parfaite du procede auto-aligne a ete obtenue en utilisant cette derniere solution. Une partie de ce travail est consacree aux dopants (as et b). Nous avons mis en evidence le role qu'ils peuvent jouer sur la reaction w/si