Abstract FR:

L'activite electrique des dislocations a ete etudiee dans des plaquettes de silicium monocristallines obtenues par fusion de zone (fz) et par tirage czochralski (cz). Les techniques experimentales utilisees lors de cette etude sont principalement la technique lbic (light beam induced current) et la technique dlts (deep level transient spectroscopy). Des analyses de caracteristiques courant-tension et des topographies x ont complete ces mesures. Les resultats montrent que les dislocations sont plus recombinantes dans le silicium cz riche en oxygene et que, dans le silicium fz cette activite electrique varie avec l'orientation cristalline. Dans le silicium fz, une diffusion superficielle de phosphore permet de decontaminer les dislocations par effet getter externe et de faire disparaitre, a temperature ambiante, le contraste lbic associe a ces defauts. Parallelement, les niveaux pieges profonds lies aux dislocations ne sont plus decelables en dlts apres une diffusion de phosphore a 900c pendant 4 heures. Le comportement du silicium cz s'avere plus complexe en raison de sa sursaturation en oxygene. Il est en effet necessaire d'appliquer un traitement prealable au phosphore afin de supprimer le contraste lbic en anneaux, caracteristique de micro-defauts repartis radialement et lies a la precipitation de l'oxygene, afin de pouvoir alors discerner celui associe aux dislocations. Ces resultats tendent a demontrer que l'activite electrique des dislocations a temperature ambiante est essentiellement d'origine extrinseque et qu'il est possible de passiver ces defauts des lors qu'ils ne sont pas decores par de l'oxygene