thesis

Mécanismes de conduction à basse température dans le silicium amorphe hydrogéné

Defense date:

Jan. 1, 1985

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Institution:

Lille 1

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Abstract FR:

Mesure de conductivité en courants alternatif et continu entre 70 et 300k. Discussion des divers mécanismes de conduction : excitation des porteurs dans les états délocalisés, sauts à distance variable au voisinage du niveau de Fermi, saut au plus proche voisin dans les queues de bande