Abstract FR:

Nous avons choisi d'étudier l'interface GaInP/GaAs obtenue par épitaxie par jets moléculaires (EJM) a sources gaz comme modèle d'interfaces entre semi-conducteurs III-V différant par les anions et les cations. Pour caractériser cette interface nous avons principalement utilise une méthode d'analyse angulaire en spectroscopie de photoélectrons induits par rayons x. Pour les cations, un échange entre atomes a la surface en cours de croissance induit une ségrégation de l'élément III le moins lie. Ce mécanisme est régi par les conditions de croissance comme le montre le modèle cinétique d'échange que nous avons élabore et comme le confirme l'étude XPS de l'interface GaAs sur Ga0. 8In0. 2As. Pour les anions, la plupart des études ont mis en évidence l'existence d'interdiffusion sans séparer les effets intrinsèques aux matériaux de ceux lies au dispositif expérimental. L'analyse angulaire en XPS permet par sa sensibilité chimique de déterminer des profils de concentration aux interfaces lorsqu'elles sont peu enterrées. Un mélange des gaz (arsine et phosphine) dans le cracker et la ligne d'évent induit l'incorporation d'un excès d'as dans GaInP déposé sur GaAs et entretient un mécanisme de ségrégation de l'arsenic par rapport au phosphore.