Mécanismes de conduction à basse température au voisinage de la transition métal-isolant dans le phosphure d'indium
Institution:
Lille 1Disciplines:
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La conductivité d'échantillons de phosphure d'indium à caractère métallique situés très près de la transition métal―isolant a été étudiée à très basse température (4,2-0,066°K), en présence de champs magnétiques variant de 0 à 11 Teslas. Lorsque nous nous approchons de la transition, du côté métallique de celle-ci, la dépendance de la conductivité en température passe d'un régime en T1/2 à un régime en T1/3. Ce changement de régime est dû à la compétition entre la longueur de corrélation et la longueur d'interaction. La conductivité à température nulle tend d'une façon continue vers zéro quand le champ magnétique tend vers le champ critique Bc. La conductivité minimale de MOTT n'existe pas. L'analyse du comportement du coefficient de la variation thermique m, en fonction du champ magnétique, a permis de mettre en évidence l'influence des interactions d'échange et de Hartree sur le changement de signe de m. En présence du champ magnétique, plusieurs phénomènes contribuent au terme correctif mTs, dont l'effet Zeeman, les interactions électron-électron et la localisation. L'étude de la conductivité du côté isolant de la transition, a permis d'observer dans un premier temps un régime de conduction par saut à distance non optimale en T1/3. A champs plus élevés, nous obtenons un régime de conduction par saut à distance variable en T−1/4