Abstract FR:

Les auteurs ont étudié les propriétés électriques de l'interface Si(3)n(4)/GaInAs pour optimiser un procédé de fabrication des transistors MISFETs sur GaInAs. Afin de remédier aux problèmes de dérive du courant généralement observés. Sur ce type de dispositif, le procédé choisi se définit par trois points principaux : un système opérant sous ultravide, la désoxydation de la surface de GaInAs et le dépôt de nitrure de silicium par plasma multipolaire.