thesis

Elaboration et propriétés de photoluminescence de multi-puits quantiques Si/CaF2

Defense date:

Jan. 1, 1996

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Institution:

Aix-Marseille 2

Authors:

Abstract EN:

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Abstract FR:

Dans cette these nous decrivons l'elaboration par epitaxie par jets moleculaires, et l'etude des proprietes structurales et optiques, de multi-puits quantiques si/caf#2. Dans la premiere partie nous expliquons pourquoi ces structures sont elaborees a temperature ambiante, menant a des structures polycristallines a tres faible taille de grains (inferieur a 15 angstrom). La microscopie electronique et la diffraction de rayons x mettent en evidence le caractere periodique de ces structures. Apres passivation chimique ex situ des liaisons pendantes qui sont presentes dans les couches nanocristallines, nous avons observe une luminescence intense sur les multi-puits. Dans la deuxieme partie de la these nous presentons les proprietes de photoluminescence statique et dynamique. Nous montrons notamment que la bande d'emission principale est situee a environ 1. 7 electron volt (bande rouge) et que sa duree de vie a temperature ambiante est de l'ordre de 10 microsecondes. Les multi-puits constitues de couches de si dont l'epaisseur depasse 25 angstrom n'emettent pas de lumiere. Ce resultat important semble indiquer que le confinement quantique est une condition necessaire pour l'emission radiative. Enfin nous comparons les resultats de notre etude aux resultats correspondants obtenus sur le si poreux et le si amorphe hydrogene. Dans la derniere partie de la these nous nous efforcons de fournir un cadre theorique a quelques resultats experimentaux