Abstract FR:

Cette etude porte sur les premiers stades de la relaxation plastique dans les heterostructures gaas/ge, sige/si et gainas/gaas orientees (001) et a tres faible desaccord de parametre (<0. 3%). Ces heterostructures ont ete caracterisees par topographie x (xrt) et diffraction des rayons x en haute resolution (hrxrd). La variation du desaccord de parametre avec la temperature peut influencer le debut de la relaxation et la longueur des dislocations de desaccord (dd) ; nous avons montre que ce desaccord reste constant pour le systeme gaas/ge entre 25c et 400c. Les resultats experimentaux montrent que les couches epitaxiees presentent une forte metastabilite qui depend des conditions de croissance, et en particulier de la cinetique du refroidissement dans les couches de gaas ; cette dependance pourrait etre liee au temps de reorientation necessaire pour que les segments emergeants deviennent glissiles. La relaxation est progressive et reste globalement faible (<15%). Les premieres sources activees sont les dislocations originaires du substrat. Les fautes d'empilement sont impliquees dans la nucleation des dd dans les couches de gaas et le substrat ge subit une deformation plastique. Le glissement devie des dd est relativement frequent et repete ; il pourrait etre favorise par l'interaction surface-segment emergeant. De plus, les interactions entre segments emergeants et entre un segment emergeant et une dd qui lui est perpendiculaire peuvent retarder la relaxation. Les calculs des forces d'interaction entre deux dd paralleles montrent que la relaxation devient tres limitee des que le taux de relaxation depasse 70%, quel que soit le desaccord de parametre. Enfin, ce travail a permis de quantifier les limites d'utilisation de la xrt et de la hrxrd.