Abstract FR:

C'est dans le contexte actuel de la reduction des dimensions des circuits integres ou la qualite du substrat de silicium cz est primordiale, que se situe cette etude sur le comportement de l'oxygene present dans le silicium. Celle-ci est realisee dans les conditions reelles d'une technologie cmos. Les nombreux resultats experimentaux obtenus concernent la cinetique de precipitation de l'oxygene, l'evolution de la densite de precipites et de la zone denudee au cours des prerecuits a des temperatures comprises entre 950c et 1100c ainsi qu'apres l'oxydation a haute temperature (1160c) caracteristique d'une technologie cmos. Nous montrons que cette cinetique de precipitation peut se modeliser par la theorie de ham, que l'evolution de la densite et de la taille des precipites au cours des traitements thermiques peut etre expliquee par un modele de croissance selective des precipites et qu'il y a un lien entre la profondeur de la zone denudee et la densite de precipites. Differentes methodes de caracterisation sont utilisees et comparees. Enfin, l'influence de la precipitation est controlee sur les caracteristiques electriques des composants conduisant a des recommandations pratiques