Abstract FR:

Dans ce travail, nous avons etudie les interactions entre les defauts ponctuels (auto-interstitiels, impuretes) et les dislocations dans du silicium monocristallin fz et cz, par diffusion d'or, en fonction de differents parametres tels que la nature cristallographique des segments de dislocation, la concentration initiale en oxygene interstitiel du materiau, le temps de deformation, et la temperature de diffusion de l'or. Pour cela, des mesures de resistance de surface (srt), de transitoires de capacite (dlts), de photoluminescence (pl) ainsi que des observations par microscopie electronique a transmission (tem) ont ete realisees. Cette etude nous a permis de quantifier l'effet de puits exerce par les dislocations sur les auto-interstitiels par la determination d'un coefficient caracteristique d'efficacite de piege gamma. Nous avons obtenu des valeurs de gamma plus importantes, d'une part pour une population de segments de dislocation uniquement de type 60, comparee a une population mixte de segments 60 et vis, et d'autre part, pour des echantillons fz compares aux echantillons cz. Pour ce type de materiau cz, nous avons constate une dependance en temperature de gamma, ainsi qu'un effet de passivation de l'intensite du spectre de photoluminescence d1-d4 lorsque le temps de deformation est prolonge. Les resultats ont ete interpretes par la difference de structure de cur des partielles 90 et 30 des dislocations etudiees. En effet, le cur des partielles 90 possede plus de liaisons pendantes que celui des partielles 30. L'influence de la concentration initiale en oxygene interstitiel sur les valeurs de gamma est due a la formation d'une atmosphere de complexes oxygenes autour de la dislocation, diminuant ainsi son effet de puits. Si cette dislocation peut s'en defaire, par montee ou par simple glissement, les valeurs de gamma peuvent etre restaurees