Abstract FR:

Les travaux presentes dans cette these se rapportent a l'etude de couches minces devant entrer dans la constitution de composants optoelectroniques. Apres un chapitre consacre aux problemes generaux rencontres lors de la realisation d'heteroepitaxies et a leurs caracterisations nucleaires, nous avons articule notre memoire autour de deux themes. Le premier se rapporte a des films de m1-xerxf2+x (m=ca, sr) luminescents dans l'infrarouge, epitaxies sur silicium et inp par sublimation thermique sous ultra-vide. La seconde a trait a la croissance epitaxiale de gan (emetteur dans le bleu) sur saphir par mocvd. Dans tous les cas sont presentes les modes de preparation des echantillons, leurs caracteristiques physicochimiques et leurs proprietes optiques. En conclusion nous donnons les perspectives d'application de ces structures