Abstract FR:

Le travail presente dans ce memoire developpe l'etude de surfaces et d'interfaces en analysant les excitations elementaires depuis la gamme de l'infrarouge (0-500 mev) jusqu'a la gamme du visible (1,5 ev). Plusieurs systemes ont ete etudies en suivant cette methodologie: des surfaces modeles d'une part (si monocristallin dope uniformement. Gate compose lamellaire, modele de structure bidimensionnelle), et des systemes plus complexes (interface cuivre-polymere: silicium implante a fort dopage local) d'autre part. Dans le dernier systeme, nous avons aborde un cas tres interessant de segregation superficielle ordonnee: la structure b-si(111) 33 r 30. L'etude de la reponse dielectrique de 04 ev rend compte, dans la gamme des transitions interbandes, d'une signature electronique caracteristique de la 3 du bore. De plus, dans la gamme de l'infrarouge, grace a l'incorporation locale d'impuretes acceptrices d'atomes de bore, nous avons pu mettre en evidence un phonon optique du silicium (54 mev). Les resultats obtenus sur le tellurure de gallium nous ont conduit, dans un premier temps, a discuter de la frequence du phonon (22,8 mev) mis en evidence. De plus, dans la gamme des transitions electroniques, nous avons pu rendre compte de resultats experimentaux en synthetisant les spectres hreels a partir du calcul de la densite des etats joints. Une collaboration avec les prof. A. Cros (gpec-marseille) et j. -j. Pireaux (namur, belgique) nous a amene a travailler sur un systeme beaucoup plus complexe qu'est l'interface cuivre polymere. La diffusion du cu dans le polymere a ete mise en evidence par cette technique