Abstract FR:

Dans ce travail nous avons mesure l'activite recombinante des dislocations dans le silicium en fonction de differents parametres: le caractere cristallographique des dislocations, leur densite de defauts geometriques, la teneur en oxygene du materiau. Pour cela, deux configurations de dislocations ont ete developpees; des nappes planes dans les echantillons (001) et des distributions homogenes de dislocations dans les orientations (001) et (111). Dans des diodes contenant ces deux configurations, ont ete realisees des mesures photoelectriques en utilisant les methodes lbic et svp. Elles ont permis de mettre en evidence une triple correlation entre les variations du photocourant, la longueur de diffusion locale et les densites de dislocations. Des experiences comprenant des observations par ebic et des mesures capacitives ont complete ces resultats experimentaux. Cette correlation nous a permis de definir une grandeur caracteristique associee aux dislocations: la vitesse de recombinaison. Nous avons constate que seules les dislocations 60#o ont une activite recombinante notable, que la vitesse de recombinaison augmente avec la temperature de nucleation des dislocations et avec la teneur en oxygene des materiaux dans lesquels elles sont developpees. Ces resultats ont ete interpretes en considerant que l'origine de l'activite recombinante des dislocations peut etre attribuee a un nombre d'accidents geometriques (doubles decrochements) plus nombreux dans les partielles 90#o que dans les 30#o. Enfin, la comparaison de la vitesse de recombinaison des dislocations mesurees dans le silicium fz et cz montre que l'oxygene est responsable d'une activite superieure des dislocations dans le silicium cz. Parmi les explications possibles de cet effet, on peut retenir un effet indirect de l'oxygene, ce dernier produisant, en precipitant sous la forme de sio#2, des obstacles au mouvement des dislocations qui prenn