Abstract FR:

Le developpement et la mise au point d'un appareillage ont ete realises dans le but d'effectuer la croissance par thm de cdin#2te#4. Des caracterisations physico-chimiques et cristallographiques du materiau ont ete effectuees en parallele avec une etude optique par spectroscopies ir et raman. Des mesures de permittivite electrique et d'effet hall ont ete completees par l'etude des caracteristiques i(v) et c(v) de diodes schottky realisees avec cdin#2te#4