Abstract FR:

Nous avons explore les conditions de formation du siliciure semiconducteur fesi#2-beta, a partir des films minces de fer (d 40 a) deposes, sous ultravide, sur les trois differentes faces du silicium: si(111), si(100) et si(100) vicinale. Les techniques de caracterisation in-situ (a. E. S. , x. P. S. , u. P. S. , l. E. F. D. ) auxquelles sont associees les techniques ex-situ qui sont la microscopie electronique a transmission et les mesures electriques (resistivite et effet hall), ont montre que le fesi#2 est obtenu a partir d'une temperature de recuit de 500#oc. Le film est stable jusqu'a 650#oc, temperature au-dela de laquelle il se rompt en ilots. La qualite cristalline des films obtenus depend beaucoup de l'orientation du substrat utilise. Sur la face si(111) tout le film est epitaxie. Sur la face si(100) aucune epitaxie n'a ete obtenue, et sur la face si(100) vicinale une epitaxie partielle a ete observee. Le caractere semiconducteur des films formes a ete verifie par le comportement de leur resistivite en fonction de la temperature. Ils presentent cependant un dopage p fort eleve (10#1#8 cm##3)