Abstract FR:

A partir de diverses etudes de la composition des films obtenus, fonction de leur etat cristallographique, description de la cinetique de fluoruration pour differentes pressions de fluor et temperature du support pendant la reaction. Grace a cette technique de passivation, la densite d'etats de surface dans gaas, a l'interface couche-support, est res faible. Ainsi une large modulation du potentiel de surface du semiconducteur peut etre obtenue sans hysteresis. Un tel resultat permet d'envisager la formation de composants utilisant des structures mis gaas