Abstract FR:

Nous avons etudie la preparation d'un isolant de grille des transistors mosfets par nitruration d'un film mince de silice (13 )nm). Nos objectifs etaient de comprendre le mecanisme reactionnel et de trouver les conditions de preparation qui permettent de stimuler la reaction a la surface de l'echantillon tout en preservant les proprietes de l'interface silice/silicium intactes. Deux directions ont ete explorees: les procedes thermiques et les procedes d'excitation de surface a basse et moyenne temperature: sous faisceau d'electrons de basse energie et plasma. Deux procedes de nitruration haute temperature ont ete mis au point: le premier permet d'ameliorer la vitesse de reaction tout en limitant la nitruration, le second permet d'obtenir un oxynitrure de densite elevee