Abstract FR:

L'oxydation thermique sous fluor a ete exploitee pour passiver des monocristaux d'inp(100). A partir de diverses etudes physico-chimiques: la composition, l'etat cristallographique et la cinetique de fluoruration d'inp(100) ont pu etre decrits pour differentes pressions de fluor (p#f) et temperatures (t#f) pendant la reaction. Pour p#f=2 bar et t#f=300c, les films obtenus sont polycristallins et constitues d'inf#3 insensible a l'air. Pour t#f<6 h. , la conductivite du fluorure est #e=10##1#4scl##1, sa constante dielectrique #r=7,2, son gap eg=8,15 ev et la densite d'etats de surface dans inp, a l'interface couche-substrat, nss est estimee a 10##1#2ev##1cm##2. Une large modulation du potentiel de surface est obtenue sans hysteresis. Ce resultat permet d'envisager la realisation de structures mis inp(100)