Abstract FR:

La miniaturisation des circuits integres impose une diminution constante de la taille des composants et de l'epaisseur des differentes couches. Ceci exige un controle et une analyse fine de la rugosite de surface. Dans le domaine nanometrique, les microscopies a effet tunnel (stm) et a force atomique (afm) sont des outils tout a fait adaptes a ce type de caracterisation dans un environnement de recherche et de developpement. Des etudes statistiques ont ete menees, la morphologie de surface a ete determinee en developpant des programmes permettant d'acceder a la densite spectrale de puissance. Cette technique a ete utilisee pour caracteriser differentes surfaces: 1) depot de polysilicium a 620c: differents temps de depot ont ete etudies dans une gamme de temps comprise entre 10s et 45mn. Nous avons mis en evidence deux regimes differents correspondants a la croissance de grains isoles et la croissance par coalescence. Pour le second mode croissance, le caractere auto-similaire de la surface nous a permis de deduire une loi d'echelle dynamique. 2) attaque par plasma de sf6 de silicium (100): nous avons etudie les modifications structurelles de la surface d'un substrat de silicium expose a un plasma sf6. Nous avons analyse l'influence des differents parametres de l'attaque plasma (pression, puissance, flux, energie des ions ou encore, temps de gravure)