Abstract FR:

CETTE ETUDE CONCERNE LA DIFFUSION DE 195Au DANS DU SILICIUM POLYCRISTALLIN ET L'EVOLUTION DE LA COMPOSITION CHIMIQUE SUPERFICIELLE DES SYSTEMES Au(film)/Si(monocristallin) ET Si(film)/Au(polycristallin). ON OBSERVE: I) A T > 900°C, DES COEFFICIENTS DE DIFFUSION EN ACCORD AVEC CEUX MESURES DANS LE SILICIUM MONOCRISTALLIN AYANT UNE TRES FORTE DENSITE DE DISLOCATIONS (N. STOLWIJK, 1986) ; II) A T < 900]C, DES PROFILS DE PENETRATION NON ANALYSABLE PAR LES SOLUTIONS CLASSIQUES DES EQUATIOINS DE FICK. LA PREMIERE PARTIE DE CES PROFILS CONDUIT A DES COEFFICIENTS INFERIEURS A CEUX EXTRAPOLES DES HAUTES T ; III) POUR LES DEUX SYSTEMES ETUDIES PAR S. E. A. UNE SEGREGATION DE SI A LA SURFACE. LES RESULTATS SONT INTERPRETES PAR UN MODELE SUPPOSANT: I) QUE L'EQUILIBRE DES ESPECES DIFFUSANTES N'EST PAS ETABLI A CERTAINES TEMPERATURES, II) UNE SEGREGATION DE L'OR AU VOISINAGE DES DEFAUTS ETENDUS, III) UN TRANSPORT DE L'OR NON ACCELERE LE LONG DES DEFAUTS ETENDUS. CE MODELE I) EXPLIQUE TOUS LES PROFILS DE PENETRATION, II) CONDUIT A UNE EVOLUTION DES COEFFICIENTS DE DIFFUSION DE L'OR DE TYPE ARRHENIUS ENTRE 551C ET 1256C, III) S'APPLIQUE A TOUS LES SOLUTES RAPIDES QUI DIFFUSENT PAR LE MECANISME KICK-OUT (PT, S, ZN, AU)