Abstract FR:

Cette thèse est consacrée à l'étude des propriétés de transport électronique de multicouches métal/silicium (métal=AU, alliage AU-SI, CU, FE) préparées par évaporation sous ultra-vide et dépôt périodique des constituants sur des substrats à température de l'azote liquide. Une nette structure multicouche a été mise en évidence par différentes techniques. Les couches individuelles sont amorphes et continues dans la gamme d'épaisseurs étudiées : SI: 14-110 A, alliage métallique AU-SI: 20 et 50 A, métaux purs (AU, CU et FE): 7-20 A. Dans cet intervalle, l'épaisseur des couches métalliques a peu d'influence sur les effets d'interférences quantiques. Les multicouches métal/silicium ont un comportement bidimensionnel lorsque l'épaisseur des couches de silicium, E#S#I, est supérieure à environ 40 A, et tridimensionnel lorsque bien que la modulation de structure demeure. La transition 2D3D semble découler du couplage entre couches métalliques à travers les couches de silicium. Pour E#S#I40 A, les résultats obtenus sont en accord avec les théories de la localisation faible bidimensionnelle et des intéractions électron-électron. La cohérence et la complémentarité des résultats de conductivité électrique et de magnéto-résistance ont permis de déterminer les mécanismes de diffusion et les temps correspondants dans les différents systèmes