Abstract FR:

L'objectif de ce travail de these etait d'introduire, de qualifier et d'optimiser un procede de nitruration de l'oxyde tunnel pour les memoires eeprom dans un centre de production. Nous avons mene une etude croisee relative a l'influence des conditions de nitruration et du type de depot de siliciure de tungstene (wsi 2) par lpcvd ou de tantale (tasi 2) par pulverisation. Differentes analyses auger et sims ont permis de detecter, de quantifier et de localiser la concentration d'azote dans les differents types d'oxyde. Les analyses sims ont confirme la presence de fluor en grande quantite dans l'oxyde tunnel a la suite du depot de wsi 2 par lpcvd. Nous avons observe une influence de la nitruration et de l'etape de depot du siliciure sur les differentes grandeurs electriques mesurees qui caracterisent la resistance de l'oxyde tunnel a l'injection d'electrons et la fiabilite des memoires eeprom. Nous avons verifie que la nitruration conduit a une reduction appreciable du taux de generation des charges positives, des charges negatives et des pieges neutres par une injection fowler-nordheim d'electrons. Cette reduction est d'autant plus marquee que la temperature de nitruration est elevee. Le taux de generation des charges negatives par une injection d'electrons dans l'oxyde tunnel est fortement augmente par le depot de wsi 2 compare au depot de tasi 2. Nous avons observe que la nitruration entraine une amelioration sensible de l'endurance et de la retention des cellules memoires eeprom des produits etudies. L'endurance des memoires du produit a siliciure de tantale est meilleure que celle du produit a siliciure de tungstene mais, par contre, leur retention est degradee. Nous avons emis l'hypothese que la reduction de la fermeture de la fenetre de programmation avec la temperature de nitruration est correlee a la diminution des charges negatives creees dans l'oxyde tunnel par l'injection des electrons au cours des cycles de programmation.