Abstract FR:

La these est consacree a l'etude de l'influence des dislocations sur les proprietes electroniques de 6h-sic de type n. Les dislocations sont introduites volontairement par rayure des faces 0001 a temperature ambiante suivie d'un recuit (1000c, 3 hrs). Les observations par met ont montre que les dislocations ainsi introduites sont majoritairement des partielles de shockley glissant dans le plan basal. De plus, la nature du cur des partielles, determine par la technique lacbed, a montre que les dislocations d'aspect zigzagge ont un cur carbone alors que celles d'aspect lisse ont un cur silicium. Apres rayure et recuit de la face carbone on observe sensiblement autant de dislocations a cur carbone que de dislocations a cur silicium, mais leur repartition est differente suivant leur distance par rapport a la rayure. Par contre, sur la face silicium on observe principalement des dislocations a cur silicium. L'effet de l'introduction volontaire de defauts sur les proprietes electroniques a ete etudie sur des diodes schottky fabriquees par pulverisation de ti/al (50 nm/80 nm). Quelle que soit la face rayee on observe une modification des caracteristiques electriques des diodes. Cependant la densite de dislocations est insuffisante pour expliquer le fort effet de compensation observe, il faut donc tenir compte de la presence des defauts ponctuels. Par ailleurs, en depit des differences observees par met, les niveaux profonds se situent dans la meme region d'energie de la bande interdite. Enfin, nous presentons un modele qui pourrait expliquer le role des dislocations dans les mesures i-v.