Abstract FR:

La micro-caracterisation du systeme ag/si(111) necessite des techniques d'investigation specifiques. Nous avons choisi la microscopie electronique en transmission (tem) comme principal outil et la microscopie par effet tunnel (stm) comme technique complementaire. La combinaison des 2 nous permet de determiner le mode et les parametres de croissance de l'ag depose sur le si(111)77 a temperature ambiante et de suivre l'evolution du systeme au cours du temps. Les observations en tem sont effectuees principalement en vue plane mais aussi en vue transverse pour completer et/ou confirmer les resultats obtenus dans le premier cas. Les observations en vue plane necessitent la mise au point d'une methode de preparation specifique afin que des experiences de croissance puissent etre menees ulterieurement. Des proprietes interessantes des faces amincies de nos cristaux ont ete mises en evidence par stm. Nous montrons qu'a temperature ambiante le systeme ag/si(111)77 croit en formant d'abord une premiere couche 2d qui ne detruit pas la reconstruction 77 du si(111), puis la croissance se poursuit sous forme d'ilots 3d dont la forme, la taille, la densite, la structure et la composition chimique sont etudiees pour des recouvrements de 1 a 30 monocouches (mc). Nous mettons en evidence l'existence d'une deformation des parametres cristallins de l'ag pour des depots allant jusqu'a 10 mc et la disparition de cet effet au-dela