Abstract FR:

Le materiau semi-conducteur hg#0#,#7#9cd#0#,#2#1te est souvent utilise pour la realisation de detecteurs photoconducteur (pc) dans le domaine de l'infrarouge correspondant a la fenetre de transmission atmospherique comprise entre 8 et 12m. Les performances de ces composants dependent de la qualite des interfaces et plus particulierement de celle entre la surface sensible du detecteur et la couche de passivation. Dans ce travail, les trois methodes suivantes de passivation ont ete testees : passivation par oxydation plama (o#2) passivation par oxydation anodique passivation par oxydation chimique (solution de fe (cn)#3##6) l'oxydation chimique est le type de passivation que nous avons selectionne et etudie dans ce travail. L'etat de surface, avant oxydation du materiau hgcdte resultant d'un polissage mecano-chimique, est caracterise par microscopie a force atomique. L'influence des conditions experimentales d'elaboration de la passivation sur les proprietes physico-chimique de l'oxyde a ete etudiee par ellipsometrie spectroscopique (indice optique, epaisseur) et par spectroscopie de photoelectrons x (composition chimique). L'etat de surface de la couche d'oxyde a ete etudie par microscopie a force atomique. La caracterisation de structures mis, dont l'isolant est constitue par la couche d'oxyde, a permis d'etudier les caracteristiques electroniques de l'interface oxyde/hgcdte en fonction des conditions experimentales de realisation de l'oxyde et de son vieillissement a l'air. Comme pour les structures mis la passivation des pc a ete realise en faisant varier les conditions experimentales de realisation de l'oxyde et son vieillissement a l'air. Ceci a permis d'etablir une correlation entre les conditions experimentales, le vieillissement, les caracteristiques electroniques de l'interface, et les performances des pc.