Abstract FR:

Le carbure de silicium (sic) connait deux modes d'oxydation. Sous pression partielle d'oxygene elevee et temperature relativement faible, il presente l'avantage de se recouvrir d'une couche de silice qui le protege en limitant sa corrosion: on parle d'oxydation passive. Porte a tres haute temperature sous faible pression partielle d'oxygene, le sic est rapidement consomme car tous les oxydes formes sont a l'etat gazeux: on est alors en regime d'oxydation active. L'approche utilisee dans cette etude de l'oxydation du sic a haute temperature (1300 a 1700c), sous faible pression totale (100 a 800 pa) est a la fois theorique et experimentale. Un modele expliquant la transition entre les deux regimes d'oxydation du sic a ete developpe. Il montre qu'un accroissement de p#t#o#t#. Et/ou v#g#a#z augmente l'etendue du domaine d'oxydation passive du sic ; la dispersion des resultats de travaux anterieurs peut etre reliee a l'influence de ces deux parametres. En regime d'oxydation passive sous faible pression totale, il a ete possible d'interpreter (i) la perte de masse globale de l'echantillon toujours observee et (ii) la formation de bulles dans la couche de silice pour des temperatures superieures a 1600c. Pour les conditions explorees dans cette etude, l'oxydation active du sic s'est revelee cinetiquement limitee par les phenomenes de transport de matiere. Toutefois des reactions preponderantes ont pu etre proposees: elles conduisent toujours a la formation de sio#(#g#) accompagnee soit de co#(#g#) ou co#2#(#g#) pour des temperatures comprises entre 1300 et 1600c, soit de co#(#g#) ou c#(#s#) lorsque la temperature est proche de 1700c