Abstract FR:

Les travaux présentés sont relatifs à l'étude des mécanismes de conduction et de la magnétorésistance négative dans un semiconducteur II-V; CdAs2. Des mesures de résistivité et d'effet Hall ont été effectuées dans le domaine de température 290 K-1,6 K, à des champs magnétiques atteignant 1,5 Tesla. Le critère de Mott situe nos échantillons du côté isolant de la transition métal-isolant. Les deux premiers chapitres sont consacrés respectivement à la présentation des modèles théoriques décrivant les divers mécanismes de transport et à la description du dispositif expérimental utilisé. Un troisième chapitre aborde l'étude détaillée des énergies d'activation associées aux différents processus de conduction observés sur les courbes de variation de la résistivité avec la température. Un calcul variationnel de l'énergie d'ionisation des atomes donneurs dans CdAs2 est présenté. Le dernier chapitre de ce mémoire est consacré à l'étude de la magnétorésistance négative dans un régime de conduction par saut à distance variable. L'interprétation de ce phénomène nous a conduit à expérimenter plusieurs modèles théoriques. La confrontation de nos résultats expérimentaux aux modèles traitant la diffusion par une ou plusieurs impuretés ne nous a pas permis d'expliquer la magnétorésistance négative. Seule la théorie prenant en compte l'action du champ magnétique sur le front de mobilité et sur la longueur de localisation présente un excellent accord avec l'expérience