Réalisation et mise au point d'un dispositif expérimental de frottement intérieur pour l'étude de la photoplasticité dans Si [le silicium] et GaAs [l'arséniure de gallium]
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Les mesures isothermes de frottement interieur connaissent un developpement certain en raison des avantages lies a la large gamme de frequence disponible. En ce qui concerne les solides cristallins ou plus generalement les materiaux presentant de fortes rigidites et de faibles niveaux d'amortissement, les dispositifs les plus performants sont actuellement les pendules forces de torsion. Ces dispositifs presentent cependant un certain nombre d'inconvenients et notamment: - une certaine complexite mecanique entrainant un encombrement important, - une grande sensibilite aux perturbations exterieures, - des difficultes pour l'etude d'echantillons de petites dimensions ou tres fragiles. Le but de notre travail etait de realiser et de mettre au point un dispositif original pour l'etude de la photoplasticite dans les semi-conducteurs. Il s'agit d'un dispositif de frottement interieur de type lame vibrante en oscillations forcees. Les mesures peuvent se faire soit en balayage de temperature (de l'ambiante a 1000c), soit en balayage de frequence (de 10#-#3 a quelques centaines de hertz) pour permettre la determination des energies d'activation des mecanismes elementaires responsables de la mobilite des dislocations. La theorie relative a la mobilite des dislocations dans le silicium et l'arseniure de gallium est exposee dans le premier chapitre. Dans le second sont presentes quelques rappels sur le frottement interieur. Apres une revue critique des differentes methodes de mesure du frottement interieur, nous presentons notre dispositif. Enfin, les resultats obtenus par ces methodes et par les methodes plus classiques (microscopie electronique, figures d'attaque,) sont exposes dans le dernier chapitre et serviront de reference pour les etudes ulterieures