Abstract FR:

A ce jour, un grand nombre de resultats theoriques et experimentaux decrivent de facon satisfaisante l'interaction d'une impulsion laser avec le silicium. Dans le cas du silicium cristallin, les etudes ont ete realisees dans des domaines temporels allant de la nanoseconde jusqu'a la femtoseconde. Cependant, les recherches entreprises sur le silicium amorphe ont surtout ete effectuees dans le domaine des nanosecondes. La motivation principale de ce travail de these a donc ete de mettre en evidence le comportement du silicium amorphe sous tres fortes excitations dans le domaine des picosecondes. Cette etude a ete realisee par la technique optique de l'excitation-sonde. Celle-ci a permis de suivre en temps reel l'evolution de la reflectivite d'un echantillon de silicium, amorphise par implantation ionique, pendant et apres le passage de l'impulsion d'excitation d'une duree de 35 ps. L'influence sur la reflectivite des parametres tels que: la densite d'energie d'excitation e#0, les longueurs d'onde d'excitation (=1,064 m; =0,53 m) et de sonde (=1,064 m; =0,53 m), ainsi que l'epaisseur amorphisee, a ete mise en evidence