Abstract FR:

La plasticite sous forte contrainte de l'antimoniure d'indium a ete etudiee dans le domaine de temperature de 20c - 200c au moyen d'un appreillage de deformation sous pression de confinement solide. L'analyse des sous-structures de dislocations par microscopie electronique en transmission nous a permis de mettre en evidence qu'un abaissement de la temperature d'essai, et l'augmentation de la contrainte qui en resulte, modifient le mecanisme de deformation. Pour t 100c, la deformation procede par glissement de dislocations parfaites alors que pour t 50c on passe a un mecanisme par glissement de dislocations parfaites et de dislocations partielles, ce dernier devenant preponderant a l'ambiante. Le caractere vis des dislocations parfaites est de plus en plus marque a mesure que la temperature diminue, ce qui temoigne de la faible mobilite de ces segments. D'une maniere generale les dislocations apparaissent dissociees. La faute d'empilement creee est toujours de nature intrinseque. Des fautes d'empilement etendues sur des fronts a 60 montrent la plus grande mobilite des dislocations partielles a 90 par rapport aux dislocations partielles a 30. Aucun evenement semblable n'a ete observe sur des fronts a 60. Ceci suggere une mobilite identique des dislocations partielles a 90 et 30. D'autre part, des observations par la technique de diffraction electronique en faisceau convergent a grand angle (lacbed) revelent une faible difference de mobilite entre les dislocations partielles a 30 et a 30. Par ailleurs, l'observation de dislocations appartenant a la fois au plan de glissement primaire et au plan de glissement devie montre l'activite du glissement devie. Enfin, a la temperature ambiante, nous avons mis en evidence que sous l'action de la contrainte deux segments vis appartenant au plan de deviation se dissocient pour emettre dans le plan de glissement primaire l'un des dislocations partielles a 30 et l'autre des dislocations partielles a 30.