Abstract FR:

Il est possible d'augmenter considerablement les longueurs de diffusion ln des porteurs minoritaires dans le silicium multicristallin polix grace a l'effet getter externe lie a une diffusion superficielle de phosphore a partir de pocl#3 a 900c pendant 4 heures. Des resultats equivalents sont obtenus apres 4 heures a 850c et hydrogenation du materiau. Les analyses sims et les cartographies lbic indiquent que des impuretes metalliques comme le fer, le cuivre et le nickel sont extraites des grains, des dislocations et des joints de grains. Deux mecanismes de capture des impuretes sont proposes. Le premier, rapide, resulterait de la capture des impuretes par les dislocations creees autour des precipites de sip tres proches de la surface ou la concentration en phosphore depasse la solubilite limite. Le deuxieme, plus lent, serait lie a la formation d'un reseau de dislocations du a l'introduction d'atomes de phosphore de taille differentes dans le reseau du silicium. L'effet de l'hydrogene se revele plus additif que complementaire. En effet, s'il peut passiver des liaisons pendantes intrinseques ou extrinseques, il doit aussi neutraliser des impuretes metalliques residuelles. Le materiau se comporte, apres traitement, comme une mosaique de petits cristaux de tres bonne qualite, separes par des joints de grains qui seraient les defauts dominants