Abstract FR:

La caracterisation theorique de la structure atomique des surfaces metalliques et bimetalliques requiert la mise en uvre de simulations numeriques a partir de potentiels inter-atomiques semi-empiriques tels que ceux derives de l'approximation des liaisons fortes. De tels potentiels mettent en jeu des parametres effectifs (interactions de paires ou a n-corps) dont la determination necessite de faire des approximations sur la redistribution de charge (entre orbital sp-d et entre especes differentes) induite par la presence de defauts tels que les surfaces ou des impuretes. Pour d'une part valider ces hypotheses et calculer ces parametres effectifs et d'autre part etablir un lien entre proprietes electroniques et macroscopiques, nous avons eu recours a des calculs ab initio selon le modele fp-lmto. Nous avons ainsi montre que, pour les metaux de fin de serie de transition, il y a une neutralite locale de charge a la surface qui s'effectue par orbitale. Dans le cas des alliages, nous avons calcule les interactions effectives d'ordre, les energies de segregation, la modification des densites d'etat en fonction de l'environnement chimique, pour les systemes dilues ag-cu, pd-cu et ag(ge). Dans les systemes metalliques, les tendances issues des methodes semi-empiriques sont confirmees mais une forte influence des effets de relaxation atomique a ete constatee. Nous avons verifie que ces tendances s'etendent au cas d'une impurete semiconductrice. Enfin, nos calculs nous ont egalement permis de comparer les positions d'adsorption et d'incorporation dans le systeme ge/ag et de simuler les densites electroniques sur les surfaces (111) et (100).