thesis

Caractérisation par microscopie électronique et techniques associées de verres de chalcogénures GeSey obtenus par dépôt en phase vapeur assisté plasma (PECVD)

Defense date:

Jan. 1, 1992

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Institution:

Toulouse 3

Abstract EN:

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Abstract FR:

Les verres de chalcogenures gese#3 et gese#5#,#5 deposes par pecvd ont ete etudies par microscopie electronique, avant et apres attaque chimique, et presentent des heterogeneites nodulaires. Le traitement thermique de ces verres amorphes provoque la formation a haute temperature de cristaux de gese#2 et de se. L'irradiation electronique et le vieillissement a l'abri ou non de la lumiere amene la formation de dendrites de se. La gravure aux electrons d'un film mince de gese#3 sensibilise avec une solution de kag(co)#2 donne des motifs bien meilleurs que ceux de gese#5#,#5 sensibilise avec agno#3 et irradie aux uv