Abstract FR:

Ce travail concerne l'étude de matériaux semiconducteurs nouveaux présentant une structure cristallographique complexe. S'appuyant sur une étude de l'activité stéréochimique de la paire libre 5s² de l'antimoine (qui se manifeste en spectrométrie Mössbauer), les physicochimistes ont proposé des diagrammes qualitatifs d'énergie de la bande de valence dont la confirmation nécessitait une étude en physique du solide. Nous effectuons d'abord un calcul complet de structure de bandes de ces matériaux par la méthode des liaisons fortes en généralisant les règles de Harrison à des systèmes plus complexes. Les valeurs théoriques obtenues pour la bande interdite correspondent aux valeurs expérimentales. Les densités théoriques des bandes de valence sont en bon accord avec les spectres de photoémission. Nous approfondissons ensuite la notion d'activité stéréochimique en calculant les déplacements isométriques Mössbauer. D'une part, nous déterminons numériquement leur valeur à partir des structures électroniques théoriques. Ces valeurs sont en accord remarquable avec les valeurs expérimentales. D'autre part, nous construisons, toujours en liaisons fortes, des modèles moléculaires. Ils permettent d'analyser la signification microscopique du déplacement isométrique en termes d'environnement local des noyaux d'antimoine. Cette interprétation est confirmée par les spectres de photoabsorption. La discussion montre ce qu'apporte l'étude théorique aux différentes notions utilisées en physicochimie