Abstract FR:

Une methode permettant la caracterisation complete de la couverture de marche de procedes de depot d'oxydes par cvd a ete developpee. Basee sur la representation graphique sur des diagrammes normalises (el/h, h/d) de facteurs de couverture sans dimension mesures sur un grand nombre de tranchees, ou il represente l'epaisseur d'oxyde depose, h la hauteur de marche et d la largeur de tranchee, cette methode des diagrammes permet de quantifier les proprietes de couverture de marche de films de sio#2 apcvd et pecvd, et de bsg apcvd, ainsi qu'a la mesure del'influence sur la couverture de la pente laterale des motifs, ou de la nature du materiau composant les marches. L'application de la methode a l'evaluation de modeles de depot permet d'effectuer une analyse systematique de l'influence sur la couverture de marche de chaque parametre important du modele. Il est alors possible de realiser une evaluation globale d'un modele, en evitant les inconvenients inherents aux techniques classiques de comparaison de profils simules avec quelques photos meb. L'application de la methode a l'evaluation de differents modeles geometriques de depot de sio#2 pecvd a permis d'ecarter le modele purement hemispherique avec migration de surface propose dans sample, et de valider la notion de pourcentage de depot isotrope proposee dans titan 5