Développement de matériaux déposés par PECVD pour les interconnexions optiques dans les circuits intégrés par une approche "back-end"
Institution:
Lyon, INSADisciplines:
Directors:
Abstract EN:
In this thesis, we are interested in the use of a generalized cylinder state model for semi-automatic analysis of three-dimensional vascular images. This model is used on two levels: for image segmentation and quantification of the stenosis degree. The model is introduced in a vessel tracking strategy based on the Kalman state estimator, associated with the segmentation of plane contours by the level sets algorithm known as ``fast marching''. The interpretation of the model as a continuous geometrical object grants access to the analytical formulas used for stenosis quantification such as diameters and transversal areas. The algorithm was evaluated on a basis of 6 physical phantoms imaged in computed tomography angiography and in magnetic resonance angiography.
Abstract FR:
Au cours cette thèse, des composants élémentaires d’optique intégrée ont été mis au point dans une technologie compatible avec une intégration au dessus de composants microélectroniques. Pour cela, trois matériaux présentant un fort contraste d’indice et de faibles pertes dans le proche infra rouge (1,3 et 1,55µm) ont été développés par dépôt PECVD, avant d’être utilisés dans des composants d’optique intégrée. Le carbone amorphe, le nitrure de silicium et le silicium amorphe ont été ainsi été étudiés. L’évolution des propriétés optiques des matériaux en fonction des paramètres de dépôt ont été étudiés et des couches de qualité optique ont été mise au point en nitrure silicium et en silicium amorphe. Guides d’ondes, virages et diviseurs de faisceaux par MMI ont ensuite été développés avec ces deux filières à l’aide d’outils de simulation et de caractérisation dédiés. Des composants à très faibles pertes et à forte compacité ont été démontrés, présentant des caractéristiques à l’état de l’art de l’optique intégrée submicronique tout en étant intégrables facilement au sein de circuits intégrés