thesis

Dépôt chimique en phase vapeur de SixC1-x riche en carbone : application au traitement d'interfaces fibres-matrice de matériaux composites SiC/SiC

Defense date:

Jan. 1, 1991

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Institution:

Toulouse, INPT

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Abstract FR:

Au cours de ce travail, la mise au point d'un procede d'elaboration de carbure de silicium riche en carbone a ete effectuee par depot chimique en phase vapeur, par copyrolyse d'un compose organometallique (tetraethylsilane) et organique (cumene). Le systeme a permis en outre la synthese de films a gradient de compositions entre le carbone pur et le carbure de siliicum, les phases obtenues se sont averees hors equilibre thermodynamique compte tenu des basses temperatures d'elaboration (de l'ordre de 1100 kelvin); elles sont decrites par un systeme biphase comprenant du carbure de silicium riche en silicium et du carbone libre. Dans le but de traiter l'interface fibre/matrice de materiaux composites carbure de silicium/carbure de silicium qui presentent une grande fragilite, le procede est adapte a l'infiltration chimique en phase vapeur, grace a un plan d'experience factoriel a deux niveaux. Ainsi, des depots de l'ordre de 0,1 micrometres ont pu etre realises sur fibres avant l'etape d'elaboration de la matrice. Il a ete montre que la presence d'un film a gradient de composition a l'interface fibre/matrice du composite permet de doubler la contrainte admissible a rupture (essais mecaniques de traction). De plus, cette couche intermediaire est peu sensible aux agressions de l'oxygene a haute temperature (1573 kelvin) contrairement au pyrocarbone utilise a l'heure actuelle