Abstract FR:

Le comportement thermique de quatre precurseurs organometalliques de materiaux: tetraethylgermane, tetraethylsilane, tetravinylgermane et tetravinylsilane, a ete etudie dans un reacteur a mur froid de depot chimique en phase vapeur. Ces molecules ont le meme rapport atomique c/m egal a 8 (:si ou ge) et les materiaux obtenus, presentes par la formule generale m#xc#1##x, ont des applications dans le domaine de la conversion photovoltaique et celui des ceramiques. Deux gaz vecteurs helium (he) ou hydrogene (h#2) ont ete utilises lors de l'elaboration. La phase gazeuse de decomposition a ete etudiee par chromatographie en phase gazeuse et la phase solide a ete caracterisee par differentes techniques d'analyses (ir, raman, x. P. S. , rx, met. . . ). La composition et la structure de ces deux phases changent en fonction de la nature du metal, des radicaux (vinyles ou ethyles), du gaz vecteur et de la temperature. La thermolyse de tetraethylgermane donne sous he de l'ethylene cependant sous h2 deux gaz, l'ethane et l'ethylene sont identifies. Dans ce dernier cas, du ge pur et cristallise est obtenu. Pour le tetravinylgermane/he, un alliage amorphe ge#xc#1##x evoluant avec la temperature vers la formation de clusters de ge et de c est decrit, alors que sous h#2 du ge faiblement contamine par du carbone est obtenu. Les precurseurs organosilicies se decomposent a plus haute temperature et donnent sous he de l'ethylene et du methane, sous h#2, l'ethane est egalement identifie. Le materiau issu du systeme tetraethylsilane/h#2 peut etre presente par l'association de carbure de silicium avec du silicium alors qu'a partir de tetraethylsilane/he ou tetravinylsilane/he ou h#2 une phase de carbure de silicium est associee a du carbone. Des correlations entre les phases solides et gazeuses sont etablies et des mecanismes de decomposition des precurseurs sont proposes