Abstract FR:

Le silicium polycristallin ou amorphe hydrogene est un materiau tres interessant, utilise en micro-electronique pour la realisation de nombreux dispositifs. L'analyse de la phase gazeuse de decomposition a mis en exergue l'importance du role des reactions chimiques en phase homogene dans le mecanisme de dissociation thermique du disilane. L'ajout de phosphine dans la phase gazeuse entraine des modifications de sa composition. Les avantages apportes par l'utilisation du disilane en termes de temperature d'elaboration et de vitesse de croissance en presence de phosphine sont mis en evidence et correles avec la composition de la phase gazeuse et en particulier avec la quantite de radicaux silylenes presents. L'influence de divers parametres tels que la temperature, la pression totale ou la fraction molaire a ete etudiee aux travers de deux plans d'experiences. La potentialite du disilane en tant que nouveau precurseur gazeux de silicium en remplacement du monosilane a ete demontree. Dans le cas du dommage in-situ, il permet l'obtention de films ayant les memes proprietes (concentration en dopants, resistivite) avec un taux d'inhibition de la vitesse de croissance beaucoup plus faible