Discontinuités de bandes de valence aux hétérojonctions de semiconducteurs : cas d'un anion commun
Institution:
Lille 1Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
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Abstract FR:
Calcul dans l'approximation de liaisons fortes avec utilisation d'une condition de neutralité locale. Application au système GaAs/AlAs pour les orientations cristallines (100), (110) et (111) ; comparaison aux résultats d'autres calculs et aux mesures expérimentales. Importance de la configuration non exactement abrupte de la barrière pour l'étude des superréseaux réalisés à partir de couches très fines. Etude du système hgte/cdte, tenant compte de l'interaction spin-orbite. Cas des puits faiblement (GaSb/AlSb) ou fortement (CdTe/ZnTe, HgTe/ZnTe) contraints ; influence de la contrainte sur la largeur de la bande interdite, observation de la non commutativité (le potentiel du système A/B/A n'est pas exactement l'oppose de celui de B/A/B)