Redistribution de dopants dans le silicium polycristallin : contribution aux mémoires non volatiles EEPROM
Institution:
Aix-Marseille 3Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
Boron (implanted after deposition) and phosphorus (in situ doping) redistribution during crystallization of a LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) submicronic amorphous silicon layer, have been studied. Thermal annealings have been performed under vacuum and in the 450-800 °C temperature range. The crystallization kinetics is enhanced both in the presence of boron (B)and phosphorus (P). During crystallization annealing, B redistributes significantly both before and after complete crystallization is achieved. In the presence of P, B redistribution kinetics is retarded whatever the temperature. For high-temperature thermal annealing, even though P initial profile is constant through the layer, P diffuses towards the regions of high B concentration. The material we studied is the floating gate of EEPPROMs non volatile memory device.
Abstract FR:
La redistribution du bore (implantation après dépôt) et du phosphore (dopage in situ pendant le dépôt) a été étudiée lors de la cristallisation d'une couche submicronique de silicium amorphe déposée par LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Déposition). Les traitements thermiques de cristallisation ont été effectués sous vide et dans une gamme de température allant de 450 à 800°C. La cinétique de cristallisation est accélérée en présence de bore (B) et de phosphore (P). Pendant les traitements thermiques, le B est redistribué dans la couche de manière significative, avant et après cristallisation totale. La présence de P ralentit la cinétique de redistribution du B quelle que soit la température du recuit. Pour les traitements thermiques à haute température, bien que la distribution initiale du P avant recuit soit homogène dans toute la couche, le P migre vers les zones fortement concentrées en B. Le matériau étudié constitue la grille flottante d'une mémoire non volatile de type EEPROM.