thesis

Contribution à l'étude des propriétés dynamiques des films minces ferroélectriques de Pb(ZrxTi1-x)O3 réalisés par voie chimique

Defense date:

Jan. 1, 2001

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Institution:

Nantes

Disciplines:

Materials science and engineering

Authors:

Directors:

Abstract EN:

Ferroelectric thin films of lead zirconate titanate (PZT) have been prepared by chemical solution deposition (CSD) and have been processed on metal substrates. The electrical properties of the films have been analyzed by a Sawyer-Tower circuit and by a pulse polarisation inversion method as a function of the fabrication route parameters, like the lead excess, the PZT crystallization temperature, the Zr/Ti ratio, and the existence or non-existence of an additional conducting layer of ruthenium oxide (RuO2) at the PZT/substrate interface.

Abstract FR:

Des couches minces ferroélectriques de Zirconate Titanate de Plomb (PZT) ont été réalisées par une méthode CSD (Chemical Solution Deposition) sur un substrat métallique. Les paramètres du procédé de fabrication, comme l'excès de plomb, la température de recuit du PZT, le ratio Zr/Ti et la présence ou la non-présence d'une couche conductrice supplémentaire d'oxyde de Ruthénium (RuO2) à l'interface PZT/substrat, influent sur les propriétés électriques des couches minces. Afin de déterminer cette influence, les films ont été analysés en basses fréquences via un circuit de Sawyer-Tower et par un dispositif d'inversion impulsionnelle pour les hautes fréquences. A basse fréquence (cycle d'hystérésis à 50 Hz), une diminution significative du champ coercitif des films minces ferroélectriques a été observée lors de l'adjonction d'une couche intermédiaire de RuO2, et l'optimisation des paramètres chimiques de fabrication a abouti à un champ coercitif compris entre 50 et 60 kV/cm et à une polarisation rémanente de 25 à 30 uC/cm2.