Abstract FR:

Ce travail porte sur l'etude de la microstructure et des proprietes electriques de thermistances ctp composees de batio#3 dope avec y#2o#3. Nous avons clarifie l'influence de parametres tels que la formulation initiale et le cycle de frittage sur le grossissement granulaire exagere constate au-dessous de la temperature d'apparition de la phase liquide (1312c). Nous avons plus particulierement mis en evidence l'influence du carbonate de baryum residuel dans les echantillons lors de l'etape de germination des gros grains. La caracterisation electrique d'echatillons frittes avec une phase liquide, a 1350c, a ete faite par spectroscopie d'impedance. Elle a permis de determiner les contributions, a la resistance totale, du volume des grains, des joints de grains et des electrodes, en fonction du taux de dopant. La concentration electronique a ete calculee a partir de la conductivite volumique et a partir de mesures capacite-tension sur des barrieres de schottky constituees d'un depot sous vide d'argent sur batio#3 semiconducteur