Abstract FR:

Le materiau etudie est prepare par pulverisation cathodique radiofrequence d'arseniure de gallium dans un melange d'argon et d'hydrogene suklfureux (h#2s). La temperature du substrat durant le depot est de 650c. Les couches minces d'arseniure de gallium polycristallines elaborees ont une taille moyenne de grain en surface variable de 1 a 3 microns environ. Une variation de la pression partielle de h#2s de 0 a 1,6 10##3 torr pour une pression totale de 30 10##3 torr, permet d'obtenir des couches dont la concentration en soufre varie de 0 a 13%. La caracterisation du materiau par la spectroscopie infrarouge, la diffraction x et l'analyse de la composition par emission x montre que le soufre vient en substitution de l'arsenic tout en favorisant les modes de cristallisation propre de l'arseniure de gallium jusqu'a 11,5% environ. Une variation des conditions de depot permet d'obtenir un compose de gallium, d'arsenic et de soufre avec une teneur en soufre elevee. Ce compose croit alors dans le systeme hexagonal. L'etude des caracteristiques electriques de jonctions de type schottky a electrode d'or, en fonction de la concentration de soufre dans le materiau, a montre que l'augmentation de cette concentration s'accompagne: d'une diminution de la densite des etats d'interface; d'une diminution de la hauteur de barriere aux joints de grains; d'une amelioration des performances photoelectriques; d'une variation de la concentration volumique des donneurs