Abstract FR:

Nous avons determine les caracteristiques electriques et photoelectriques des centres de recombinaison associes au joint de grains dans le silicium polycristallin brut de fabrication et apres que le materiau ait ete recuit a differentes temperatures. Nous avons utilise les techniques l. B. I. C. , e. B. I. C. , s. I. M. S. Et d. L. T. S. Pour evaluer la vitesse de recombinaison interfaciale s des joints de grains ainsi que l'energie, la section efficace de capture et la densite des centres de recombinaison. De plus, nous avons pu evaluer les longueurs de diffusion des porteurs minoritaires pres des joints et dans les grains. Les materiaux etudies sont des bicristaux prepares par tirage czochralski et des multicristaux a gros grains contenant des joints generaux et des dislocations. Les resultats montrent que l'activite recombinante des joints augmente au cours des traitements thermiques et que les durees et les temperatures requises suggerent qu'un diffuseur lent comme l'oxygene soit capture par le joint de grains. Nous avons introduit volontairement une impurete metallique (l'or) pour verifier son influence sur les joints de grains lorsque les echantillons sont bruts ou prealablement recuits. Il apparait que la presence d'or dans les grains et aux joints a pour effet de neutraliser partiellement les centres de recombinaison crees dans les grains et aux joints au cours des recuits prealables, ce qui pourrait se comprendre par la segregation des atomes metalliques par les precipites. Les joints de bicristaux et des multicristaux reagissent de la meme facon et seule l'influence des dislocations les differencie