Abstract FR:

La spectroscopie de pertes d'énergie des électrons (EELS) est un outil puissant permettant l'étude de la structure électronique des matériaux. Nous présentons une étude générale des structures fines observées près des seuils d'ionisation (ELNES) dans les composés AlxGa1-xN (0<x<1) à la fois expérimentale et théorique, au moyen de calculs ab initio. Deux paramètres essentiels influençant les structures fines observées dans les matériaux massifs ont été étudiés : l'effet de la symétrie cristalline dans l'AlN cubique (zinc-blende) et hexagonal (wurtzite) d'une part, celui de la composition chimique dans les alliages ternaires AlGaN d'autre part. Ces résultats ont été étendus à l'étude de signatures chimiques observables aux interfaces dans des puits quantiques AlN/GaN. Deux techniques permettant d'obtenir une résolution spatiale de quelques angströms, l'imagerie filtrée et la technique de spectres-ligne, ont notamment été utilisées pour suivre l'évolution du seuil N-K.