Abstract FR:

La différence, observée à haute température, entre les énergies d’activation de la conductivité et de la mobilité du silicium polycristallin, n’était pas expliqué jusqu’à présent par les modèles existants. Pour cela, nous avons proposé un nouveau modèle de conduction prenant en compte l’existence du désordre dans ce matériau. Par ailleurs les mesures faites à basse température et celles réalisées sous forts champs électriques corroborent cette interprétation. Enfin, certains résultats à basse température montrent l’existence de joints de grains électriquement inactifs (type P) et la présence d’une couche privilégiée pour la conduction, à l’interface (type N)