Abstract FR:

Les hétérostructures des puits quantiques du composé InxGa1-xN / GaN présentent des boîtes quantiques (clusters) riches en indium. Ceux-ci sont dus à la décomposition spinodale ou à la séparation de phases résultant d'un gap de miscibilité entre le InN et le GaN. Ces clusters confinent les porteurs en 0D de manière à induire des recombinaisons radiatives. La microscopie électronique en transmission haute résolution est la technique la plus adaptée pour étudier les déplacements des franges de réseaux à l'échelle atomique qui donnent par la suite la déformation locale dans ces puits quantiques. Une image de microscopie haute résolution prise sous des conditions d'imagerie bien déterminées est traitée par un logiciel d'analyse quantitative de déformation de manière à réaliser une cartographie de déformation en 2D. Celle-ci précise la taille du puits quantique et de la barrière de GaN ainsi que la taille, la déformation et la densité des clusters. L'optimisation des conditions de croissance du composé InxGa1-xN dépend de l'optimisation des conditions de croissance de InN. Dans ce but, les progrès dans le domaine de la croissance sont par la suite exposés à travers la microstructure des couches minces InN. Cette étude microstructurale met en évidence le lien qui existe entre le mode de croissance de la couche, les défauts dans la couche, l'état de l'interface et de la surface de la couche avec les propriétés cristallines, optiques et électriques.