Abstract FR:

La these de a. Simon presente une etude theorique des proprietes electroniques des heterostructures semiconductrices. Le premier chapitre est un rappel de la methode k. P et de l'approximation de la fonction enveloppe dans le materiau massif et l'heterostructure, et le second chapitre traite des problemes lies a la contrainte. L'accent est place sur les effets multibande. Dans le troisieme chapitre, deux methodes de calcul de la structure electronique sont developpees. Le chapitre 4 est consacre au calcul des proprietes optiques du puits quantique gasb-alsb. Dans le cinquieme chapitre, l'auteur discute des effets de l'orientation du substrat dans une direction de faible symetrie et montre la forte influence de l'anisotropie du cristal sur les proprietes electroniques et sur la repartition des contraintes et deformations dans l'heterostructure. Le dernier chapitre a trait a l'etude des potentiels variables dans la direction de croissance et deux mecanismes sont envisages: le dopage planaire du materiau gaas pour lequel il montre la faible incidence de la periode sur les variations de leurs proprietes et l'interdiffusion dansle superreseau hgte-cdte qui conduit a la disparition de ses etats d'interfaces et a l'augmentation de leur bande interdite